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高飛捷COB光源的測量特點

來源:  發布時間:2022-01-20   點擊量:386

其中P(T)為輻射能量,σ為斯特藩—玻耳茲曼常量,ε為發射率,紅外測溫的精確與待測材料的發射率密切相關,由于COB光源表面的大部分材料發射率是未知的,為了精準測溫,可將光源放置在恒溫加熱臺上,待光源加熱到一個已知溫度處于熱平衡狀態后,用紅外熱成像儀測量物體表面溫度,再調整材料的發射率,使其溫度顯示為正確溫度。

COB光源的測量LED集成光源和COB光源有區別如下:1、使用的LED芯片不同LED集成光源一般是使用1瓦以上的大尺寸大功率LED芯片,芯片尺寸一般都是30MIL以上的COB光源的測量

。而COB光源則主要以不足1瓦的小功率LED芯片為主,極少量的COB光源也會用到1瓦以上的大功率LED芯片。COB光源的測量在步驟2)中,導電線13設置為直線彎折狀。現有技術中,COB光源的導電線13呈弧形,在受到垂直壓力的時候容易在焊接處斷裂,造成死燈的問題,不利于COB光源的組裝及使用COB光源的測量

因為COB光源使用的是多個LED晶片直接固在散熱基板上,它與傳統的LED封裝方式不同,因此這些LED晶片貼片封裝后占用的空間極小,且緊密組合的LED晶片能最大化的高效發光,所以當COB光源通電后看不出獨立的單個發光點而更像是一整塊發光板。

。本實施例中,將導電線13設置為直線彎折狀,這樣,在正面受到壓力時,該壓力不會作用在彎曲狀的導電線13頂部,而是作用在彎曲狀的導電線13的側部,同時彎曲狀的導電線13自身具有較好的緩沖作用,使得導電線13在受到壓力時不易斷裂,解決了在組裝或使用時導電線13受到壓力容易斷裂的問題。

COB光源的測量在每個單一芯片上涂覆熒光粉并完成點膠等工序.LED芯片光是集中在杯內部的,要讓光線更多的跑出來,出光的口越多光效就越高,MCOB小功率芯片封裝的效率一般要高于大功率芯片封裝的效率。COB光源的測量

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